个人资料
- 部门： 必赢766net手机版
- 性别： 女
- 专业技术职务： 电镜中心主任，博导
- 毕业院校： 上海微系统与信息技术研究所
- 学位： 博士
- 学历： 博士
- 联系电话： 13818464331
- 电子邮箱： rjqi@ee.ecnu.edu.cn
- 办公地址： 生科辅楼202
- 通讯地址： 东川路500号
- 邮编： 200241
- 传真：
工作经历
科研与学术工作经历
2025-1至 今, 必赢766net手机版, 公共创新服务平台电镜中心主任 2024-1至2025-1, 必赢766net手机版, 公共创新服务平台电镜中心常务副主任 2020-1至今, 必赢766net手机版, 必赢766net手机版, 高级工程师 2013-11至2019-12, 必赢766net手机版, 必赢766net手机版, 工程师 2008-1至2013-11, 中芯国际集成电路制造有限公司, 失效分析, 工程师 2006-11至2007-12, 香港中文大学, 物理系, 研究助理 2006-7至2006-10, 纳米技术及应用国家工程研究中心, 研发部门, 工程师
教育经历
教育经历 2021/09–2024/06，中科院上海微系统与信息技术研究所，博士，导师：宋志棠研究员 李喜研究员 2003/09–2006/07，中科院上海硅酸盐研究所，硕士，导师：朱英杰研究员 1999/09–2003/07，郑州大学，材料学院材料工程系，学士
个人简介
研究方向：本人致力于半导体材料生长、新奇物性调控及器件应用领域的研究，近年来围绕半导体材料生长调控以及铁电、光学特性等开展了系列基础性研究；通过在电镜中引入热、电等外场，针对新型功能半导体材料开展了原位显微结构演变动力学的研究；并发展了多种可应用于电镜原位分析的微纳结构搭建和透射电镜样品制备与分析的方法。以第一作者（含共同第一）和共同通讯作者在Nature Communications (2022, 2023, 2024, 2025), Advanced Materials (2022, 2024), ACS Nano, Small, Small Methods等国际重要期刊上发表了有意义的学术成果50余篇；近三年的部分成果已被Nature, Nature Materials, Nature Nanotechnology等高水平期刊引用近千次，其中三篇共同通讯作者论文入选ESI高被引论文。 科研和教学方面：协助培养硕士研究生6名（其中毕业2名），博士研究生1名。协助指导研究生重点开展了二维材料铁电性及其极化翻转机制的研究，于国际上首次报道了由钇掺杂引发的InSe半导体层状半导体的室温铁电性；并进一步首次利用电镜表征技术观测到由于原子滑移引起极化切换的一系列微观结构变化；首次报道了中心对称正交GeSe半导体的反铁电、铁电特性；研究成果分别发表在Nature Communications 2023, 14:36 Nature Communications 2024, 15:3799和Nature Communications 2025, 16: 1810。 竞赛：联合指导研究生参与科创竞赛，获2024年中国国际大学生创新大赛国家金奖（全校唯一）、2023年第二届创炜杯全国大学生课外学术科技作品大赛金奖、2024年竞联杯全国大学生创新创业大赛金奖（全国唯一）。
研究方向
1.透射电子显微学
2.集成电路芯片失效分析 3.半导体材料构效关系研究
1. 滑移铁电极化翻转动力学的原位透射电镜研究
2 掺杂调控InSe半导体的光学、电学性质研究
科研项目
上海市面上项目 （2025-2028） 重庆市面上项目（2023-2026） 华师大仪器创制项目（2024-2025）
学术成果
近三年代表性成果 [1] Atomic-level polarization reversal in sliding ferroelectric semiconductors. Sui F. #, Li H, Qi R.*, Jin M. *, Lv Z., Wu M., Zheng Y., Liu B., Ge R., Wu Y.-N*., Huang R., Yue F. *, Chu J., Duan C. Nat. Commun. 15, 3799 (2024) (High cited paper, WOS). (共同通讯作者) [2] Sliding ferroelectricity in van der Waals layered γ-InSe semiconductor. Sui F. #, Jin M., Zhang Y.,Qi R.*, Wu Y.-N., Huang R., Yue F. *, Chu J., Nat. Commun.14, 36 (2023) (High cited paper, WOS). (共同通讯作者) [3] Unconventional antiferroelectricity in centrosymmetric van der Waals group-IV monochalcogenides, Sui F. #, Yu Y. #，Chen J. #,Qi R.*, Ge R., Zheng Y., Liu B., Jin R., Gong S., Yue, F. *, Chu, J., Nat. Commun. 16, 1810 (2025). (共同通讯作者) [4] Enhanced bulk photovoltaic effect of single-domain freestanding BiFeO3 membranes. Lin J. #, Wang H. #, Zheng Y., Kan Y., Chen R., Long M., Chen Y., Zhou Z., Qi R. *, Yue F., Duan C., Chu J., Sun L. *Adv. Mater.2414113 (2024). (共同通讯作者) [5] Intrinsic sliding ferroelectricity and high-quality superlinear emission in van der Waals γ-InSe semiconductor. Sui F.#, Jin R, Yu Y. #, Jia S., Liu B., Qi R.*, Jin M., Liu X., Ge R., Zheng Y., Dai J., Yue, F.*, Chu, J., Adv. Funct. Mater.2508213 (2025).(共同通讯作者) [6] Niobium-doped layered cathode material for high-power and low-temperature sodium-ion batteries. Shi Q. #, Qi R.#, Feng X. #, Wang J. #, Li Y., Yao Z., Wang X., Li Q., Lu X., Zhang J., Zhao Y. *, Nat. Commun.13 (1), 3205 (2022). (High cited paper, WOS) (共同第一作者) [7] Microstructurally tailored thin β-Ag2Se films toward commercial flexible thermoelectrics. Lei Y. |
